Investigan sobre el nitruro de aluminio, galio e indio, ideales para aplicaciones de alta potencia

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Elementos de gran importancia, fundamentales en la fabricación de dispositivos electrónicos optoelectrónicos de alto rendimiento, como LED y láseres

Redacción

Culiacán, Sinaloa.- El estudio de materiales semiconductores basados en nitruro de aluminio y galio es de gran importancia y son fundamentales en la fabricación de dispositivos electrónicos optoelectrónicos de alto rendimiento, como LED y láseres, que están presentes en una amplia gama de aplicaciones, desde iluminación hasta comunicaciones y medicina, comentó maestrante universitario.

Édgar Agustín Contreras estudiante de la Maestría en Física que ofrece la Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas (FCFM) de la Universidad Autónoma de Sinaloa (UAS), actualmente lleva a cabo una investigación sobre el nitruro de aluminio, galio e indio los cuales presentan propiedades ópticas y eléctricas únicas, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia energética.

Su amplio rango de energía de banda permite la emisión de luz en una variedad de longitudes de onda, lo que permite la creación de láseres de diferentes colores, incluyendo luz ultravioleta azul, verde y blanco, “esto de vital importancia porque muchas propiedades electrónicas están relacionadas de cómo la luz interactúa con estos materiales”, sostuvo.

Mencionó que emplea técnicas de caracterización de los metales mencionados anteriormente, como la fotoreflectancia. «En este proceso, se envía luz a los metales, los cuales experimentan modificaciones, y unos sensores captan la luz que emiten al ser excitados, permitiéndonos comparar sus reacciones», explicó.

Édgar Agustín Contreras aseguró que esta investigación tiende a ser sustentable, dado que los materiales con los que trabaja en su investigación pueden emplearse en dispositivos para generar energía renovable, como celdas solares, gracias a su resistencia a la radiación.

Agradeció la orientación del doctor Cristo Manuel Yee Rendón investigador de la FCFM para llevar a cabo esta investigación. Además, mencionó que próximamente realizará una estancia en el CINVESTAV del Instituto Politécnico Nacional para corroborar los resultados obtenidos.

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